湖人半导体（深圳）有限公司

AOD240使用沟MOSFET技术独特的优化提供有效的高频开关性能。由于极低的功率损失化RDS(上)和crs的组合。此外,交换行为很好的控制身体“肖特基风格“软恢复二极管。

AOD240参数

VDS                              40V

ID (at VGS=10V)            70A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 3mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 3.9mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AOD240产品原理图

AOD240一般信息

数据列表AOD240;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）23A（Ta），70A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）4300pF @ 20VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）2.7W（Ta），150W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）3 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63