湖人半导体（深圳）有限公司

IRFP250NPBF 特性

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

易于并联的

简单的驱动要求

LEAD -FREE

IRFP250N概述

第五代HEXFETs从国际整流器利用先进的加工技术达到极低的导通电阻/硅区域。这个好处,加上快速切换速度和加固的设备设计HEXFET功率mosfet是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。

在TO- 247封装的商业工业应用更高的功率水平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247相似但由于其孤立的安装孔优于早期的TO- 218封装。

IRFP250NPBF 原理图

IRFP250NPBF 一般信息

数据列表IRFP250NPbF;标准包装25包装散装 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）30A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）123nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2159pF @ 25VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）214W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）75 毫欧 @ 18A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3