湖人半导体（深圳）有限公司

IRS2186S特性

设计为引导操作浮动通道

充分运作，以+600 V

耐负瞬态电压的dV / dt

免疫的

栅极驱动电压范围为10 V至20 V

欠压锁定两个通道

3.3 V和5 V输入逻辑兼容

匹配的传播延迟为两个通道

逻辑和电源地+/- 5V的偏移。

较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器

输出源出/吸入电流能力4 A / 4A的

IRS2186S概述

IRS2186(4)高电压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动程序和独立的高端和下部引用输出通道。专有HVIC和门闩免疫CMOS技术使加固的整体结构。逻辑输入与标准CMOS兼容或LSTTL输出,降至3.3 V逻辑。输出驱动特性高脉冲电流缓冲阶段为司机cross-conduction而设计的。流动通道可用于驱动一个n沟道功率MOSFET和IGBT在高端配置运营600 V。

IRS2186S产品目录

IRS2186S包选项

IRS2186S一般信息

数据列表IRS2186(4)(S)PBF;标准包装2,500包装标准卷带 类别集成电路（IC）产品族PMIC - 栅极驱动器规格驱动配置半桥通道类型独立式栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 电源10 V ~ 20 V逻辑电压 - VIL，VIH0.8V，2.5V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）4A，4A输入类型非反相高压侧电压 - 值（自举）600V上升/下降时间（典型值）22ns，18ns工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）封装8-SOIC