湖人半导体（深圳）有限公司

TK7P60W应用

开关稳压器

TK7P60W特性

漏源极低导通电阻:RDS()= 0.5Ω(typ)。

通过使用超结结构:DTMOS

容易控制门开关

增强模式:Vth = 2.7到3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.35 mA)

TK7P60W包装和内部电路

TK7P60W一般信息

数据列表TK7P60W;标准包装2,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列DTMOSIV规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Ta）不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3.7V @ 350μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）15nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）490pF @ 300VFET 功能超级结功率耗散（值）60W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）600 毫欧 @ 3.5A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装封装DPAK封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63