湖人半导体（深圳）有限公司

AOD417概述

本AOD417采用先进的沟槽技术提供了的研发RDS（ ON），低栅极电荷和低栅极电阻。

具有优异的耐热性的DPAK封装的，该装置很适合于高电流负载的应用。

-RoHS标准

卤素*

AOD417参数

VDS (V) = -30V

ID = -25A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 34mΩ (VGS = -10V)

RDS(ON) < 55mΩ (VGS = -4.5V)

100% UIS Tested!

100% Rg Tested!

AOD417一般信息

数据列表AOD417;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型P 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）25A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）16.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）920pF @ 15VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）2.5W（Ta），50W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）34 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63