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HGTG5N120BND产品概述

HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如：UPS、光伏逆变器、电机控制以及电源。

HGTG5N120BND产品特性

10A, 1200V, TC = 110°C

低饱和电压：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A

典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns

短路额定值

低传导损耗

HGTG5N120BND产品技术参数

数据列表HGTG5N120BND, HGTP5N120BND;标准包装 30包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - UGBT，MOSFET - 单规格IGBT 类型NPT电压 - 集射极击穿（值）1200V电流 - 集电极（Ic）（值）21A脉冲电流 - 集电极 (Icm)40A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.7V @ 15V，5A功率 - 值167W开关能量450μJ（开），390μJ（关）输入类型标准栅极电荷53nC25°C 时 Td（开/关）值22ns/160ns测试条件960V，5A，25 欧姆，15V反向恢复时间（trr）65ns工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247