湖人半导体（深圳）有限公司

FDS8817NZ产品概述

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为地降低通态电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

FDS8817NZ产品特性

VGS = 10V，ID = 15A时，rDS(on) = 7.0 mΩ

VGS = 4.5V，ID = 12.6A时，rDS(on) = 10 mΩ

HBM ESD保护等级，典型值为3.8KV（注3）

高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)

高功率和高电流处理能力

符合RoHS标准

FDS8817NZ产品一般信息

数据列表FDS8817NZ;标准包装 2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（Metal Oxide）漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）7 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）2400pF @ 15VFET 功能-功率耗散（值）2.5W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO